研究用于测量电功率的便携式磁阻传感器。用巨磁电阻效应，由传感器提供的差分电压直接测量，这允许有效地测量电流穿过bobine.La充电电压直接测量，并且从外部电路的电功率将被测量被测量并使用单片机和LCD屏幕显示。了最大化测量的灵敏度和线性度，考虑施加的磁场对传感器灵敏度的影响以及巨磁阻类型的影响。验结果表明，该多层巨磁电阻传感器可以准确地测量外部电路的电源，它具有一个基本线性的区域和宽的测量范围和更适合的功率计的制造该巨磁阻传感器各向异性。后，对巨磁阻传感器的应用前景进行了展望，并分析了实验中遇到的问题。磁阻电力传感器实验原理，实验材料和实验方法实验原理电流测量GMR电流传感器在打开测量环路电流通过直接测量在长直导线通过电流产生的磁场。流的方向与传感器的敏感轴的方向正交，并且由电流产生的磁场的方向平行于敏感轴的方向。
设流经导线的电流为I，传感器与导线之间的距离为d。着电流的变化，磁场变化，以及GMR的电阻：桥结构用于产生电阻的变化作为电压信号。于电阻GMR和磁场之间的线性变化，输出电压与测量的电流成比例，从而实现电流信号的测量功能。图1所示。磁阻传感器采用惠斯通电桥结构，由四个相同的巨磁阻器组成，其中电阻随着外部磁场的增加而增加，总电阻减小。2显示了电流传感器中常用的桥结构。常，GMR桥的输入电阻可以被认为是恒定的，并且输出信号与测量的电流和电桥的输入电压的乘积成比例。输入电压恒定时，GMR传感器是电流传感器。为可变磁场绕时所测量的电流是I，相应的磁场B中的电流产生，巨磁电阻是由磁场的强度变化时，平衡电桥结构被破坏和电阻的变化以差分电压的形式提供。号，如果巨磁阻在线性区域中工作，则测量的磁场B与电压信号具有线性关系，恒温阀芯即B与之成比例。3.将中示出了GMR传感器的导线上方的功率GMR传感器的设计，使得传感器的敏感方向由导线和电流产生的磁场的方向一致被调整，以改变磁场的大小与传感器输出建立关系。压测量充电电压对于简单测量，使用万用表测量U = U负载。过上述测量电流和电压值的方法测量电功率，传感器的输出电压由单片机处理，得到待测电流值。
阻传感器，工作电压0-5V; HMC1021Z磁各向异性磁阻磁传感器，0-5V工作电压; 100Ω电阻，作为外部电路负载;万用表，直接测量充电电压值;液晶屏;单芯片;多孔板，漆包线，多根电线。验方法电流强度I的测量GMR传感器由负载两端的电压供电，并在电压输出端产生差分电压信号。以根据磁场的大小来计算电流。量电压U的方便性为了方便测量方法，通过直接测量来测量电压，即测量电压值使用万用表。量的电功率P的电压输入被电阻器分压。流输入中电阻和电位计的选择与电压输入电路的选择类似。备输出中的交流分量设计有滤波电路，便于数字仪表的显示。验结果与分析各向异性传感器测量电功率根据实验原理，采用各向异性传感器制作电表，测量待测电流（实验测量图呈现）在图1）中。据表1中的数据，y = 0.2324x 6.9365，R2 = 0.9476，待测量的电流和输出电压基本上是线性的，如图8所示。上表明，各向异性传感器开头很好的线性度和最后一段也很不错，但有一个区域与低线性milieu.En看数据，我们知道的各向异性。磁场是重要的传感器芯片的灵敏度降低，因此，我们通过改变经验和réexécutonsexpérience.Les匝数减少实验磁场的大小的实验结果列于表2中呈现表2中的数据可用于获得调整后的曲线。所获得的新的生产线：Y = 0.5470 0，6692x示于图9，它可在新的6到减少的磁场后的线的线性度是明显更好可见;因此，我们可以得出这样的结论各向异性传感器线的线性度是“好 – 坏好”，因为后者曲线进行测量时，在实验中的磁场太高由于过大的电流和过量的线圈会降低芯片的灵敏度，导致下图的线性度相对于前一测量线的线性度的偏差。性度低的曲线。用多层膜传感器测量电功率根据实验原理，使用多层膜传感器制造电能表，并测量待测量的电流。验结果如表3所示。3中的数据可以用y = 0.0746x获得。
6.4158，R2 = 0.969，在被测定电流和输出电压完全对齐，如图7（绕线圈匝的匝数是相同的各向异性传感器从上述实验可以看出第二个实验。其通过多层膜传感器获得的线的线性度比各向异性传感器和多层膜的强得多传感器线性电压由传感器测量多层膜比各向异性传感器大得多，便于单片机的采集和处理。此，我们为此实验选择了多层膜传感器。于该实验是对照变量实验，因此在实验之前和之后控制的变量是芯片，并且实验测量图表示于图3中。2.多层膜电表的校准通过的电流之间的关系来确定要被测量和电压sortie.On看出，Y = 6.4158 0，0746x并且所述输出电压是通过处理单片机。验期间的实际效果如图8所示。中的红色和黑色插座对应于从仪器连接的电流。先前的实验中，外部电路通常对结果有影响，这也使得可以确定外部微控制器是否会对实验结果产生一定的影响。先，我们将单片机连接到计算机，连接外部电路，进行实验并记录功率计显示的读数，以防有无单片机。验结果示于下面的表4中，如表5所示。了检查外部MCU是否对实验结果的作用，我们已经建立了电流和电压之间的关系图使用MCU获得的输出而不使用MCU，恒温阀芯我们对其进行了调整：我们可以看到上面图9中的两条装配线。
（C聚和多聚d）几乎完全一致，我们首先计算实验误差：η=Σ结果0.56％，那么我们可以认为，可允许的误差范围内，则外部微控制器对实验结果没有影响。论GMR材料本身具有如下特点：它的电阻值可以与外部磁场的变化而变化，和其它电参数可以间接通过控制电阻值的变化被控制，并且施加到日常生活。磁阻的应用是非常大：在磁场的领域，巨磁电阻传感器提供各种磁场测量值，响应频率和高灵敏度和大适应性的温度，在磁场的线性测量领域。势。巨磁致位移传感器具有高灵敏度和高线性度，输出电压和位移具有在不同的环境温度下具有良好的线性关系，表明温度稳定性好并且应用视图比更宽一般传感器的那个。外，巨磁阻传感器用于速度测量，测量精度高，频率范围宽，无需温度补偿。
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