随着时代的进步和科学技术的飞速发展，当今的通信技术对环境温度变化条件下晶体振荡器的稳定性提出了越来越严格的要求。中，最常见的频率是10MHz，这是安装在表面安装器件上的压控温度补偿晶体振荡器的具体操作，特别是温度补偿晶体振荡器。有恒温控制和二次补偿方案。文将重点介绍使用此方法进行设计和测试，希望能够获得推荐。级补偿;晶体振荡器;稳定性;恒温控制我们都知道影响晶体振荡器稳定性的主要因素是晶体的温度，电压和老化。中，温度受影响最大。前，最常见的晶体振荡器包括模拟补偿晶体，数字补偿晶体和微机补偿晶体。据表明，传统模拟晶体补偿频率的温度稳定性可以达到1 * 10-6，相位噪声很好，但热网络结构的局限性通常占据很大的体积。字补偿晶体的频率温度稳定性为2 * 10-7，相位噪声不好，但体积小。般来说，传统的恒温晶体振荡器使用5 V电源，因为它的功耗很高，最大电流超过300 mA。
下主要针对每个引入10 MHz，双温度补偿晶体补偿晶体振荡器体积作为核心，使用恒温控制和二次补偿方案（3.3 V电源）。整体结构整体设计的现阶段，恒温温度补偿晶体振荡器主要由四部分组成：温度补偿网络（单个），晶体振荡器温度补偿由电压，方波输出和恒温网络。体来说，温度控制和温度补偿晶体振荡器首先由恒温阵列控制，以最小化压力温度补偿竞争的实际工作区域，并且频率 – 温度稳定性是优化到最大。后使用与电压控制端电压和电压控制关系相关的温度补偿网络，根据实际情况输出适当的电压控制电压，以补偿振荡器恒温后补偿晶体温度，最后让温度频率的稳定性达到最佳状态。键技术的使用是合理的。
经提到了压力补偿晶体振荡器SMD。系统使用简单的温度补偿网络进行二次补偿。络的输出电压是线性电压的单调趋势，以满足使用的需要。必要要求温控和温度补偿晶体振荡器的频率 – 频率曲线是线性和单调的，并且不允许拐点。外，由于数字补偿温度曲线的非连续线性曲线，必须使用尺寸严格受限的温度补偿和补偿模拟晶体振荡器。过多次测试，最佳选择是SMD32 * 25晶体振荡器，具有温度补偿和可控电压。络补偿结果的选择表明，温度补偿晶体振荡器的温度 – 频率特性在恒温下加热，在-20到70摄氏度的工作条件下大大提高，在正常情况下可以完全满意。于二次补偿，该设计采用简单的温度补偿网络（见下图（图1）。
图清楚地表明电源已通电并且通过以下方式发出稳定的工作电压电压调节器模块，然后由电阻器R1和R2分压。据所选电压控制的温度补偿晶体振荡器的电压控制频率的斜率关系，演变特性曲线。测温度 – 频率网（恒定温度后），热敏电阻值适当乙被选择和电阻R3调整的固定值同时进行。4，R5和R6发射一组单调逆线性的电压的趋势，这允许精确的二次补偿此外，补偿晶体振荡器具有恒温和补偿温度在-20至70的恒温控制电路℃的合理选择范围显著大于5 * 10-8已在许多reprises.On测试指出的是，恒温阀芯结晶温度的温度的特性曲线控制-20和70℃之间显示出很强的连续性和多个拐点，特别是高于60℃后它会显示一个趋势单调增加，这能满足设计的二次补偿条件此时，应通过恒温加热方法使实际工作温度范围最小化。通后，热桥立即产生高的非对称输出电压，功率管立即达到加热功率的最大值。外，电桥的不平衡电压逐渐作为晶体振荡器内的温度降低monte.Lorsqu’il被加热到所需要的温度控制，电桥的平衡输出电压维持在一固定值温度控制电路通过平衡加热。生的热量是热量损失。果外部温度的变化，热敏电阻器的电阻值不可避免地发生变化，并在également.A此时的桥平衡变化的输出电压，人员应通过调节电流校正在晶体内部温度的变化和紧张局势。
调试补偿网络的观察表明，为本设计选择的SMD电压控制的温度补偿补偿晶体振荡器的斜率为正。于一个单调上升（线性），在这种情况下，工业应劝阻首次热敏电阻RT1，然后选择统一的规范RT2准确计算R3，R4和R6的估算阻值。阻R5（反向电压曲线后）。之，随着现代通信技术的快速发展，需要对传统的具有恒温/温度补偿的二次补偿晶体的设计进行修改。试结果清楚地表明，与二次补偿相关的恒温控制方法有效地控制了5 * 10-8范围内的温度和频率稳定性。是，应该特别记住的是，该解决方案不使用单片机，这将大大降低投资成本，并具有体积小，功耗低的明显优势（与恒温晶体振荡器）。外，温度补偿晶体和压力控制振荡器的选择的过程中，本领域技术人员必须保持以满足一致性RF频率特性和压控温度 – 频率特性更好的恒温调节和二次补偿的条件。可以弥补传统温度补偿晶体振荡器的弱点，更好地满足市场需求。
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