在片上系统的设计中，基于RS编解码技术从闪存读取和写入数据可以降低闪存故障的风险，从而减少硬件消耗并增加闪存的成本。
码率。
Codec RS技术; SoC设计;闪存控制器CLC TP3编号文档识别码A项目编号1674-6708（2012）71-0210-02简介闪存接收越来越多的技术以提高闪存存储容量和稳定性其性能方面，恒温阀芯FLAH存储系统由纠错码编码，可以降低FLASH错误的风险。
于编码技术和RS码的解码（Reed Solomon码）编码和解码的数据存储在闪存和采取流水线结构，提高了新RIBM（重新伯利坎普-梅西无反转），即迭代Berekamp算法的RS解码可以通过这种方法提高RS解码的速度和可实现的能力，对于解决设计中读写闪存数据失败的问题非常有用。
Flash控制器的SoC。
码算法RS编码算法的RS是在GF（伽罗瓦域），这允许以纠正RS编码瓦特错误，并执行RS编码中定义的多BCH编码，循环线性码。
数化：编码长度RS L = q-1 q = 2n n是自然数;一致地检查比特数Lk = 2w，RS编码中的最小码距离是jmin = 2w 1; JK-1，-2 JK，…，J1，J0表示数据中的k比特宽度米。
果k m位数据由一有限域GF（2m）上，所发送的码字进行编码（CN-1，CN -2），…，C1，C0），由多项式表示的方法意味着数据如下：多项式：d（Z）= JK-1ZK-1 JK-2zk-2 ，…， j1z j0;多个多字：C（z）= ck-1zk-1 ck-2zk-2 ，…， c1z c0;生成G（z），定义为：G（z）=（z αi）;其中：α是G（z）的为C（z）是G（z）的术语C（Z）的倍数的根：C（的αi）= 0，0i2w-1计算c（Z ）和数据是多项式移动到获得的Zn-千焦（z）的d（z中的右侧）的是商，E（z）是基团对应于式的Zn-千焦（Z）= d （z）G（z） 在等式E（z）中：G（z）是二次多项式和E（z）的次数nk。
式的Zn-千焦（Z）= d（z）的G（z）的 E（Z）被重写，得到：C（Z）= d（z）的G（Z）= Zn的千焦（Z）-E （z）对于GF字段的相同形式的加法和减法，对产生错误的位置的误差值进行校正计算。
RS解码器设计流程图如下：RS解码器设计流程图首先通过输入进入伴随计算链路，然后通过rIBM迭代计算方法计算寻找根或多项式计算。（Z）;正确，然后通过管道存储调整输出，最后输出。
论在SoC系统芯片，用于计算使用迭代计算RIBM的方法的相关方程基于FLASH-控制器技术RS编解码器的编码和解码的设计，这不仅降低闪存控制器失效的概率，也解码高RS。
度和可实现的容量对改善SoC设计具有很好的参考价值。
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