飞思卡尔半导体推出基于ARM Cortex-M0 处理器的全新Kinetis L系列微控制器（MCU），再次证明了其在基于ARM的嵌入式处理方面的领先地位。门级Kinetis L系列微控制器的首批测试样品计划于第二季度推出。思卡尔以如此快的速度展示Kinetis L系列器件的能力是由于与ARM在Cortex-M0 内核开发方面的密切合作。思卡尔是帮助ARM定义和开发世界上最节能的处理器的领先合作伙伴，旨在满足入门级应用，如家用电器，便携式医疗系统，智能电表照明和电源。动机控制系统对能效，成本和易用性有严格的要求。思卡尔在MCU开发方面拥有30多年的经验，在定义和验证新处理器（包括I / O处理和调试）方面提供了宝贵的见解和信息。
L系列是飞思卡尔与ARM紧密合作的结晶，ARM是一款入门级微控制器系列，结合了卓越的能效和易用性，以及系列的性能，器件集，功能和可扩展性Kinetis 32位微控制器。时，它充分利用了ARM Cortex架构中固有的低功耗和高性能特性。扎Kazerounian，该业务部的高级副总裁兼总经理汽车解决方案，工业和多元化电子飞思卡尔，说：“在新的ARM核的设计和开发过程中，飞思卡尔密切合作凭借它，使我们成为生产商，作为第一家提供基于Cortex-M0 的MCU的供应商，我们还在继续开发市场上基于ARM的新产品战略：我们的新产品的Kinetis L系列MCU的将允许开发人员创建下一代更聪明。在小型嵌入式应用，更节能，设计选项更多了。迈克·英格利斯，执行副总裁兼总经理处理器部门表示：“飞思卡尔是第一家向市场推出Cortex-M4的公司。理器供应商，它们再次成为ARM处理器的前身 – 这次是Cortex-M0 处理器。过将L系列添加到其Kinetis产品线，飞思卡尔将创造市场上最大，最具扩展性的产品。ARM Cortex-M的组合，从经济的入门级产品基于ARM的Cortex-M0 多达4个MB，基于Cortex-M4处理器MCUKinetis系列L系列200兆赫Kinetis L采用低泄漏TFS（薄膜厚度）处理技术制造，结合了卓越的动态特性，阻断电流和强大的处理性能，实现了节能设计。受8位和16位MCU的限制。
种片上闪存密度选项和众多模拟器件，连接和HMI设备选项可以增强各种应用的智能。Kinetis L系列还满足入门级设计的易用性要求，这对于考虑使用32位解决方案的开发人员来说通常是一个障碍。MCU的功能及其随附的支持包将提供易用性和支持，以便快速访问新设备功能。将使开发人员能够充分利用Kinetis L系列MCU的强大功能，同时为入门级设计保持快速的开发周期。Kinetis系列通过兼容的Kinetis K系列器件（基于ARM Cortex-M4处理器）实现向上迁移，实现高级DSP性能和集成。
2012年6月的飞思卡尔技术论坛上，飞思卡尔宣布了Kinetis L系列产品的所有细节，以及针对不同应用的客户的深入演示和培训。关更多信息，请访问www.freescale.com/kinetis/Lseries。ARM Cortex-M0 处理器ARM Cortex-M0 处理器将上一代Cortex-M0升级为真正的8位替代产品，同时保持与所有其他Cortex-M处理器的兼容性。允许设计人员重用他们现有的编译器和调试工具。的ARM Cortex-M0 处理器的增强功能包括一个简化的两级通道，允许分支指令访问设备优化器的周期和存储器访问到地址空间线性4GB以避免页面需求软件复杂性并保证8位设备的用户体验微跟踪缓冲区提供低成本跟踪解决方案，允许识别和跟踪。快的校正，无需额外的I / O资源全面支持和实施随着入门级应用从32位8位和16位MCU解决方案转向32位Kinetis解决方案，资源紧密集成需要支持以充分利用新的系统资源。
述的Kinetis L系列将受益于用于Kinetis的设备，包括飞思卡尔CodeWarrior IDE的，MQX RTOS和关联的中间件标准的全面支持包，以及宽范围的ARM生态系统的支持。
思卡尔全新的Airfast RF功率将性能提升到新的高度RF能源市场领先者飞思卡尔半导体推出新型Airfast晶体管，旨在提高效率，峰值功率和信号带宽下一代基站。着这一新产品的推出，飞思卡尔的Airfast RF射频电源产品线现在为每个支持小型和大型蜂窝基站部署的蜂窝频段提供至少一种解决方案。Airfast射频电源解决方案提供经济高效的小规模配置，帮助网络设备供应商和运营商支持多种无线标准，管理越来越快的数据传输速度，并保持这些标准投资和运营成本低。匹配新的设备Airfast，飞思卡尔还推出的控制产品称为ADAM模块（多赫蒂高级校准模块），其调整在实时相位振幅来优化传统的Doherty功率放大器的新的范围。模块旨在与Airfast器件配合使用，以提高整体系统性能，包括提高每个频段的功率效率，功率输出和线性度。
思卡尔RF部门副总裁兼总经理Ritu Favre表示，恒温阀芯“飞思卡尔Airfast RF电源解决方案组合的最新产品可实现小型蜂窝基站和宏蜂窝基站。了在线性效率和高功率方面实现重大飞跃，这是一个长期的市场领导者和LDMOS技术，飞思卡尔为其客户提供各种RF晶体管选项，以提高RF晶体管的性能。率放大器，同时降低成本和设计周期时间。AFT 0 9 S 2的8 2 N，飞思卡尔9000兆赫的产品和2个8V时LDMOS提供720 MHz到的范围内的最佳的RF性能960 MHz，具有现有OMNI塑料模制外壳的最高峰值（峰值功率为490 W）。AFT18S230S是一款28 GHz，28V射频供电的LDMOS晶体管，具有45％对称Doherty输出，在8 dB OBO时增益高达17 dB。种效率水平通常只能通过仅使用Doherty非对称技术的更复杂和更昂贵的解决方案来实现。该设备用于非对称Doherty PA系统时，它可提供更高效的性能。
AFT21S230S是一款28.1至2.1 GHz器件，可为具有230W RF功率的LDMOS晶体管提供卓越的效率。产品在NI-780S-6中提供，具有高达100 MHz的视频带宽，适用于对称和非对称Doherty应用。
对称部署中，该产品在8 dB OBO下的效率为45％，增益为15.5 dB。AFT18HW355S是一款集成了高功率PCS和DCS磁带应用的Doherty器件。个器件的峰值功率为56 dBm，平均功率为8 dB OBO，其效率可超过48％，其性能可与基于GaN的更昂贵解决方案相媲美。
紧凑型器件工作在1805-1880 MHz或1930-1995 MHz之间，采用飞思卡尔增强的视频带宽技术，支持多个全频段载波的操作。MMDS25254H ADAM是一种复杂的单片微波砷化镓（GaAs）集成电路，支持2300至2800 MHz的相位和峰值范围。700-1000 MHz和1800-2200 MHz相关产品线也在开发中。
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