总结：碳化硅温度传感器而备受关注，因为它们可以达到高得多的操作温度比基体温度传感器如果影响了SiC基温度传感器的灵敏度的因素。SBD在理论和实验方面进行了研究。于电子热发射理论的分析模型表明，影响温度传感器灵敏度的因素主要是理想因素。Spice模拟关系V？不同偏置电流下的SiC SBD T：结果表明，灵敏度随直流增加，并且线性好。点V？三个厂家ŤSBD二极管用恒定电流源偏置电路10个mA.Les结果表明，三个二极管的上限的SiC高于400℃的线性良好，进行了测试灵敏度接近1.5 mV。后，提出了一种优化设计方案，以提高SiC SBD温度传感器的灵敏度。键词：SiC基温度传感器;肖特基势垒二极管;特征V？吨;极化电路;线性度;灵敏度中图分类号：TN850.1？ 34文件编号：A货号：1004？ 373X（2018）10？ 0070？ 04总结：基于SiC的温度传感器？受到特别关注，因为它可以达到比基于Si的温度传感器高得多的工作温度。理论上和实验上研究了影响SiC SBD温度传感器灵敏度的因素。于热离子发射的理论分析模型表明，影响温度传感器的灵敏度的因素主要是idéaux.L’Épice因素采用模拟关系V· SiC SBD T在不同的偏置电流下。果表明，当直流减小，线性好灵敏度的增加，与10mA的恒定电流偏置电路被采用，以测试特性V· Ť的SiC SBD 3个fabricants.Les结果表明，由三个碳化硅SBD测得的温度上限均为400℃以上，线性好，灵敏度是接近1.5毫伏/℃传感器基于SiC™; SBD;特征V？吨;偏置电路;线性度;灵敏度0简介温度传感器是最基本的传感器类型之一，应用广泛。
适用于家电，工业和科研等许多领域。常用的温度传感器是热电偶，热敏电阻，基于半导体的温度传感器等。[1？ 2]。些电流传感器的典型特性列于表1其中被示出，所述热电偶具有宽的温度范围内，但低的敏感性，这通常是只有40 UV /℃。
然热敏电阻具有高灵敏度，这是一个非线性成分和半导体温度传感器具有高灵敏度，线性度好，小尺寸，低功耗的优点能量和低工作电流。而，由于材料特性的限制，将阈值温度传感器，用于现有的半导体材料的温度上限为约150℃，这限制了其应用领域。为一种新的类型的半导体材料，碳化硅（SiC）具有以下优点：禁带宽，高导热性，高击穿场强，对辐射和化学性质稳定的高电阻。恶劣的高温环境中，SiC温度传感器比Si传感器具有更大的优势。合温度传感器6H？碳化硅[3]通过JF卡萨迪等人描述的，A的范围为-50至500℃章诺的报告的4H-SiC温度传感器[4]不需要基准温度点，并可以在中国稳定地工作C. 600 20至°，胡拎回等人报道的电路改善恒定电流源[5]，能够稳定-100和500℃之间许在SiC SBD装置的长发等报道的SiC-MOSFET元件的温度特性，可达到530℃[6]的温度上限。
SiC SBD相对简单和成熟，具有优异的电气性能，最常用的SiC SBD和最常用的温度传感器。灵敏度对于提高温度传感器的精度非常重要，但相关研究还不够深入。这篇文章中，影响易感性的SiC SBD的线性因素，通过理论分析，仿真和实验研究研究，提出了一种优化方案。流导通机构的SiC SBD可被描述为的理论分析如下通过热电子发射[7]的理论：2本文使用模拟软件来模拟香料IV关系？在不同的恒定电流偏置下的roms器件（SCS206AG）。
验，如示于图1，我们可以看到，曲线的线性是通过与减小直流，这与前面的理论分析是一致的恒定电流和提高灵敏度不同良好。敏度是大约1.3毫伏/以1℃〜100毫安，约1.5毫伏/℃在10mA和约1.65毫伏/℃毫安。3物理发展根据理论分析和模拟的结果，虽然偏置电流的温度传感器的灵敏度低于较高，但该电路的精度也越高。虑到的因素如系统的困难和功率消耗，本文档使用一个LM358运算放大器和一个MOS管IRF540创建使用SiC SBD控制电路10毫安的恒定电流源，在执行由烘箱和沸腾炉产生的恒温环境。试时，温度范围为20和450℃之间至室温，如图2.选择所述SiC SBD（SCS206AG（650 V 6 A），SIC_SD_G2_600V_IDH_v2.1（600 V 6 A），CSD06060 （600 V 6 A））来自三家制造商，有更多应用来测试他们的V关系？分别为T.所示。验结果表明，即使电压和三个的SiC SBD二极管的电压降不同，灵敏度基本相同，这与上面的理论分析相一致，并保持在良好的线性温度范围低于400°C 4优化方案以前的研究表明，基于SiC SBD的温度传感器通过SiC SBD结构和工艺更难以改善。文分析了温度传感器中常用的三组电路结构，如串联，并联和桥接。构串联这种结构串联连接两个的SiC SBD设备并且由恒定电流偏置获得，用作输出信号的两层SiC SBD器件的电压降的总和。路如图4所示。
设特性I？该装置的V为一致，则系统的灵敏度具有串联的二极管的数量而线性增加，从而使得能够比单个二极管具有更高的灵敏度。而，在该方法中使用的更大的所述SiC SBD装置中，电路的成本越高，复杂性大，电压降是很重要的。行结构[10]，该电路并联连接两个的SiC SBD器件和采用不同的恒定电流极化采取两个装置作为输出信号之间的电压降的差别。路如图5所示。设两个器件具有相同的特性I？ V，可以得到的电压降和SiC SBD之间的温度差之间的关系：电桥电路是，所述电流源被极化从两个第一结构不同。SiC SBD由两个碳化硅SBD和两个电阻构成的桥电路来测量两个的SiC SBD的电压降，以获得压力降的差的。电路示于图6在图中，[RD1，RD2]选择罗的SiC SBD（SCS206AG）[R1]和[R2]的两个电阻器具有不同的电阻值，分别计算的压力降两个SiC SBD并获得它们的压差。下：当所述电压源为5V时，灵敏度为约2.458毫伏/℃，并且当电压源为10 V时，灵敏度为约4.765毫伏/℃相比温度传感器由单个SBD SiC组成，该方法的灵敏度大大提高。过改变电压源的大小可以提高灵敏度，但随着电压的增加，电路的功耗也会增加。种模式进行比较，该并联电路与在假设两层SiC SBD也utilisés.étant作为两个不同的恒流源串联电路相比是必需的，电路功率消耗增加和电路要求更高。串联和并联电路相比较，同时使用SBD的SiC电压源的偏振用于减小电路的要求电桥电路中的电流源来偏置所述SiC SBD，以及灵敏度调整是更灵活，更方便，无需改变电路本身。此，桥结构电路可以用作最优解决方案。论基于SBD-碳化硅温度传感器的灵敏度的理论是étudiée.Le分析模型和香料仿真结果表明，灵敏度，主要是由于该装置的理想因子。验结果还表明，不同厂家和参数的SBD SiC的灵敏度非常接近。度传感器电路的性能进行了研究，三组拓扑串联，并联和桥，这提供比基于SiC的温度传感器SBD.Le桥电路更高的灵敏度相比较另外两个。电路还具有在电路上相对低的需求和灵敏度而不改变电路结构，它可以被用作最优解得到改善。考文献[1]何小金，张金民。NTC热敏电阻研究与发展状况理事会[J]。子技术与软件工程，2016（10）：130。
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